IXFN50N120SK - MOSFET N-CH
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFN50N120SK
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
12528 Pieces
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Spécifications pour IXFN50N120SK
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IXFN50N120SK
Fabricant :
IXYS
La description :
MOSFET N-CH
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 10mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
115nC @ 20V
Vgs (Max) :
+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1895pF @ 1000V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
-
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-227B
Paquet / caisse :
SOT-227-4, miniBLOC
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IXFN50N120SK
Feuilles de données :
IXFN50N120SK.pdf
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