SSM3K303T(TE85L,F) - MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM

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MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM3K303T(TE85L,F)

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM3K303T(TE85L,F)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
Séries : π-MOSVII
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 83 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 4V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TSM
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM3K3 , SSM3K303T

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