FDC6561AN - MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDC6561AN
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDC6561AN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDC6561AN
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 15V
Puissance - Max : 700mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT™-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FDC6561AN
Feuilles de données : FDC6561AN.pdf
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