CSD17313Q2T - MOSFET N-CH 30V 5A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD17313Q2T
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 5A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour CSD17313Q2T
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CSD17313Q2T
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET N-CH 30V 5A
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +10V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-WSON (2x2)
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour CSD17313Q2T
Feuilles de données : CSD17313Q2T.pdf
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