CSD17313Q2T - MOSFET N-CH 30V 5A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD17313Q2T
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 5A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1309080 Pieces
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Spécifications pour CSD17313Q2T
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
CSD17313Q2T
Fabricant :
Texas Instruments
La description :
MOSFET N-CH 30V 5A
Séries :
NexFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
+10V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.4W (Ta), 17W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
6-WSON (2x2)
Paquet / caisse :
6-WDFN Exposed Pad
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour CSD17313Q2T
Feuilles de données :
CSD17313Q2T.pdf
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