SIZF906ADT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Référence fabricant

SIZF906ADT-T1-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SIZF906ADT-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

612115 Pieces

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Spécifications pour SIZF906ADT-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIZF906ADT-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Séries : TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V, 200nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Puissance - Max : 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-PowerWDFN

Package d'appareils du fournisseur : 8-PowerPair® (6x5)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIZF9 , SIZF906A

Documents pour SIZF906ADT-T1-GE3

Feuilles de données : SIZF906ADT-T1-GE3.pdf

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