R6004JND3TL1 - MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS

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MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
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Spécifications pour R6004JND3TL1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : R6004JND3TL1
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET LOW ON-RESISTANCE AND FAS
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.43 Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 7V @ 450µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 15V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 60W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : R600 , R6004J

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Feuilles de données : R6004JND3TL1.pdf

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