IPI147N12N3GAKSA1 - MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

Référence fabricant

IPI147N12N3GAKSA1

Numéro de pièce interne

AX-IPI147N12N3GAKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPI147N12N3GAKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPI147N12N3GAKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 120V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 56A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.7 mOhm @ 56A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 61µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3220pF @ 60V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 107W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO262-3

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPI14 , IPI147N1

Documents pour IPI147N12N3GAKSA1

Feuilles de données : IPI147N12N3GAKSA1.pdf

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