SPD08P06PGBTMA1 - MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

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MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
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Spécifications pour SPD08P06PGBTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SPD08P06PGBTMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.83A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6.2V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 42W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SPD08 , SPD08P0

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Feuilles de données : SPD08P06PGBTMA1.pdf

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