IRFH7911TR2PBF - MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRFH7911TR2PBF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRFH7911TR2PBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1060pF @ 15V
Puissance - Max :
2.4W, 3.4W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
18-PowerVQFN
Package d'appareils du fournisseur :
PQFN (5x6)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRFH7911TR2PBF
Feuilles de données :
IRFH7911TR2PBF.pdf
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