EFC6604R-TR - MOSFET 2N-CH EFCP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EFC6604R-TR
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH EFCP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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Spécifications pour EFC6604R-TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EFC6604R-TR
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH EFCP
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 1.6W
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-XFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 6-EFCP (1.9x1.46)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour EFC6604R-TR
Feuilles de données : EFC6604R-TR.pdf
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