BSZ12DN20NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
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Brève description
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSZ12DN20NS3GATMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BSZ12DN20NS3GATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Séries :
OptiMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
11.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
8.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
680pF @ 100V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
50W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TSDSON-8
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BSZ12DN20NS3GATMA1
Feuilles de données :
BSZ12DN20NS3GATMA1.pdf
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