FDMT80060DC - MOSFET N-CH 60V

Référence fabricant

FDMT80060DC

Numéro de pièce interne

AX-FDMT80060DC

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 60V

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

176865 Pieces

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Spécifications pour FDMT80060DC

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDMT80060DC

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 60V

Séries : Dual Cool™, PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 43A (Ta), 292A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 238nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 20170pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.2W (Ta), 156W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-Dual Cool™88

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDM , FDMT8

Documents pour FDMT80060DC

Feuilles de données : FDMT80060DC.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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