BSS806NEH6327XTSA1 - MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
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Brève description
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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4536345 Pieces
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Spécifications pour BSS806NEH6327XTSA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BSS806NEH6327XTSA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Séries :
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
0.75V @ 11µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
1.7nC @ 2.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
529pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
500mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-23-3
Paquet / caisse :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BSS806NEH6327XTSA1
Feuilles de données :
BSS806NEH6327XTSA1.pdf
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