IPP50R500CEXKSA1 - MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220

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MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220
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Spécifications pour IPP50R500CEXKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPP50R500CEXKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 433pF @ 100V
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3-1
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPP50 , IPP50R50

Documents pour IPP50R500CEXKSA1

Feuilles de données : IPP50R500CEXKSA1.pdf

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