DMN10H220LQ-7 - MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
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MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN10H220LQ-7
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN10H220LQ-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 401pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.3W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DMN10H220LQ-7
Feuilles de données : DMN10H220LQ-7.pdf
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