BSO080P03NS3GXUMA1 - MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
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Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1104140 Pieces
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Spécifications pour BSO080P03NS3GXUMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BSO080P03NS3GXUMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Séries :
OptiMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
6750pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PG-DSO-8
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BSO080P03NS3GXUMA1
Feuilles de données :
BSO080P03NS3GXUMA1.pdf
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