RN1901FETE85LF - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RN1901FETE85LF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RN1901FETE85LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V
Résistance - Base (R1) : 4.7 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 4.7 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition : 250MHz
Puissance - Max : 100mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : ES6
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RN1901FETE85LF
Feuilles de données : RN1901FETE85LF.pdf
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