AOB412L - MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

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MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
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Spécifications pour AOB412L

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AOB412L
Fabricant : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description : MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Séries : SDMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.2A (Ta), 60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3220pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.6W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (D²Pak)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : AO , AOB

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