RQ3E100GNTB - MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Référence fabricant

RQ3E100GNTB

Numéro de pièce interne

AX-RQ3E100GNTB

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RQ3E100GNTB

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RQ3E100GNTB

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta), 15W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-HSMT (3.2x3)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RQ3 , RQ3E1

Documents pour RQ3E100GNTB

Feuilles de données : RQ3E100GNTB.pdf

Produits associés pour RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor

Numéro d'article	Marque	La description
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CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V BP 0805.
WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
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GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
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04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
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CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 220PF 100V BP 1805.
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