DMN3012LFG-13 - MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

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MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
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Spécifications pour DMN3012LFG-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN3012LFG-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Puissance - Max : 2.2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerLDFN
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI3333-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN3 , DMN301

Documents pour DMN3012LFG-13

Feuilles de données : DMN3012LFG-13.pdf

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