STL10LN80K5 - MOSFET N-CH 800V 6A POWERFLAT

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MOSFET N-CH 800V 6A POWERFLAT
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Spécifications pour STL10LN80K5

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STL10LN80K5
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 800V 6A POWERFLAT
Séries : MDmesh™ K5
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 427pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 42W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerFlat™ (5x6) VHV
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : STL , STL10

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