SSM3J353F,LF - X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM3J353F,LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM3J353F,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Séries : U-MOSVI
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +20V, -25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 159pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 600mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : S-Mini
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM3 , SSM3J3

Documents pour SSM3J353F,LF

Feuilles de données : SSM3J353F,LF.pdf

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