NE3516S02-T1C-A - IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
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IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NE3516S02-T1C-A
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NE3516S02-T1C-A
Fabricant : CEL
La description : IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de transistor : N-Channel GaAs HJ-FET
La fréquence : 12GHz
Gain : 14dB
Tension - Test : 2V
Note actuelle : 60mA
Figure de bruit : 0.35dB
Courant - Test : 10mA
Puissance - sortie : 165mW
Tension - nominale : 4V
Paquet / caisse : 4-SMD, Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur : S02
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NE3516S02-T1C-A
Feuilles de données : NE3516S02-T1C-A.pdf
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