FDMS1D4N03S - MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDMS1D4N03S
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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470115 Pieces
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Spécifications pour FDMS1D4N03S
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDMS1D4N03S
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Séries :
PowerTrench®, SyncFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
211A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.09 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
10250pF @ 15V
Caractéristique FET :
Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max) :
74W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-PQFN (5x6)
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDMS1D4N03S
Feuilles de données :
FDMS1D4N03S.pdf
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