FDMS1D4N03S - MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

Référence fabricant

FDMS1D4N03S

Numéro de pièce interne

AX-FDMS1D4N03S

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDMS1D4N03S

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDMS1D4N03S

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN

Séries : PowerTrench®, SyncFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 211A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.09 mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10250pF @ 15V

Caractéristique FET : Schottky Diode (Body)

Dissipation de puissance (max) : 74W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-PQFN (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDM , FDMS1

Documents pour FDMS1D4N03S

Feuilles de données : FDMS1D4N03S.pdf

Produits associés pour FDMS1D4N03S ON Semiconductor

Numéro d'article	Marque	La description
WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
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BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
FPE210WV15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.