GB01SLT12-252 - DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
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Brève description
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GB01SLT12-252
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GB01SLT12-252
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.8V @ 1A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 2µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F : 69pF @ 1V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur : TO-252
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour GB01SLT12-252
Feuilles de données : GB01SLT12-252.pdf
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