HAT2166HWS-E - MOSFET N-CH LFPAK-5

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
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MOSFET N-CH LFPAK-5
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HAT2166HWS-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : HAT2166HWS-E
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH LFPAK-5
Séries : *
Statut de la pièce : Last Time Buy
Type de FET : -
La technologie : -
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : -
Package d'appareils du fournisseur : -
Paquet / caisse : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : HAT2 , HAT216

Documents pour HAT2166HWS-E

Feuilles de données : HAT2166HWS-E.pdf

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