STQ2LN60K3-AP - MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92
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MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour STQ2LN60K3-AP
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STQ2LN60K3-AP
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92
Séries : SuperMESH3™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 600mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-92-3
Paquet / caisse : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour STQ2LN60K3-AP
Feuilles de données : STQ2LN60K3-AP.pdf
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