RDN100N20 - MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

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MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
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Spécifications pour RDN100N20

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RDN100N20
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 543pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 35W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220FN
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RDN , RDN1

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Feuilles de données : RDN100N20.pdf

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