NP80N055NDG-S18-AY - MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
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Brève description
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NP80N055NDG-S18-AY
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NP80N055NDG-S18-AY
Fabricant :
Renesas Electronics America
La description :
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
135nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
6900pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.8W (Ta), 115W (Tc)
Température de fonctionnement :
175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-262
Paquet / caisse :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NP80N055NDG-S18-AY
Feuilles de données :
NP80N055NDG-S18-AY.pdf
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