PMDT290UCE,115 - MOSFET N/P-CH 20V SOT666

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MOSFET N/P-CH 20V SOT666
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Spécifications pour PMDT290UCE,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMDT290UCE,115
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N/P-CH 20V SOT666
Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 800mA, 550mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.68nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 83pF @ 10V
Puissance - Max : 500mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : SOT-666
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PMDT , PMDT290

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Feuilles de données : PMDT290UCE,115.pdf

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