IPB60R199CPAATMA1 - MOSFET N-CH TO263-3

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH TO263-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPB60R199CPAATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPB60R199CPAATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH TO263-3
Séries : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1520pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 139W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPB60 , IPB60R19

Documents pour IPB60R199CPAATMA1

Feuilles de données : IPB60R199CPAATMA1.pdf

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