ZXMN2A04DN8TA - MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

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Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour ZXMN2A04DN8TA

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ZXMN2A04DN8TA
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22.1nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1880pF @ 10V
Puissance - Max : 1.8W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : ZXMN , ZXMN2A

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