IRG8CH50K10F - IGBT CHIP WAFER
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRG8CH50K10F
Fabricant
Brève description
IGBT CHIP WAFER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
83800 Pieces
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Spécifications pour IRG8CH50K10F
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRG8CH50K10F
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IGBT CHIP WAFER
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 50A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 50A
Puissance - Max : -
Énergie de commutation : -
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : 245nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 60ns/285ns
Condition de test : 600V, 50A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRG8CH50K10F
Feuilles de données : IRG8CH50K10F.pdf
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