ESH1JM RSG - DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-ESH1JM RSG
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
5164645 Pieces
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Spécifications pour ESH1JM RSG
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ESH1JM RSG
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.5V @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 25ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 1µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : 3pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 2-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur : Micro SMA
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour ESH1JM RSG
Feuilles de données : ESH1JM RSG.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 16KV SCREW. | ||
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