FCPF7N60NT - MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F

Référence fabricant

FCPF7N60NT

Numéro de pièce interne

AX-FCPF7N60NT

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FCPF7N60NT

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FCPF7N60NT

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F

Séries : SupreMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.8A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 520 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 960pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 30.5W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220F

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FCP , FCPF7

Documents pour FCPF7N60NT

Feuilles de données : FCPF7N60NT.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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