H11F2M - OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-H11F2M
Fabricant
Brève description
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
45894 Pieces
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Spécifications pour H11F2M
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
H11F2M
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Nombre de canaux :
1
Tension - Isolement :
7500Vpk
Ratio de transfert actuel (min) :
-
Ratio de transfert actuel (max) :
-
Activer / Désactiver le temps (Typ) :
45µs, 45µs (Max)
Temps de montée / descente (type) :
-
Type d'entrée :
DC
Le type de sortie :
MOSFET
Tension - Sortie (Max) :
30V
Courant - Sortie / Canal :
-
Tension - Forward (Vf) (Typ) :
1.3V
Courant - DC Forward (Si) (Max) :
60mA
Vce Saturation (Max) :
-
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 100°C
Type de montage :
Through Hole
Paquet / caisse :
6-DIP (0.300", 7.62mm)
Package d'appareils du fournisseur :
6-DIP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour H11F2M
Feuilles de données :
H11F2M.pdf
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