AS4C16M16D2-25BINTR - IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
184330 Pieces
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Spécifications pour AS4C16M16D2-25BINTR
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
AS4C16M16D2-25BINTR
Fabricant :
Alliance Memory, Inc.
La description :
IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - DDR2
Taille mémoire :
256Mb (16M x 16)
Fréquence d'horloge :
400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
400ps
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
84-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
84-TFBGA (8x12.5)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour AS4C16M16D2-25BINTR
Feuilles de données :
AS4C16M16D2-25BINTR.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK. |
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Vishay Beyschlag |
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AVX Corporation |
CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1000PF 40KV AXIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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