TH58BYG2S3HBAI6 - IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
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Brève description
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TH58BYG2S3HBAI6
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TH58BYG2S3HBAI6
Fabricant : Toshiba Memory America, Inc.
La description : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Séries : Benand™
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Non-Volatile
Format de mémoire : FLASH
La technologie : FLASH - NAND (SLC)
Taille mémoire : 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge : -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 25ns
Temps d'accès : 25ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 67-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 67-VFBGA (6.5x8)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TH58BYG2S3HBAI6
Feuilles de données : TH58BYG2S3HBAI6.pdf
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