RQ3E180AJTB - MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

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MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RQ3E180AJTB

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RQ3E180AJTB
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Ta), 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 11mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4290pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-HSMT (3.2x3)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RQ3 , RQ3E1

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Feuilles de données : RQ3E180AJTB.pdf

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