TK20A60U(Q,M) - MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
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Brève description
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK20A60U(Q,M)
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TK20A60U(Q,M)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
Séries :
DTMOSII
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
20A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1470pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
45W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220SIS
Paquet / caisse :
TO-220-3 Full Pack
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TK20A60U(Q,M)
Feuilles de données :
TK20A60U(Q,M).pdf
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CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. |
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CAP CER 5000PF 25KV SCREW. |
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AVX Corporation |
CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL. |
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CAP CER 3000PF 10KV. |
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