IRF7233TR - MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC

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MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
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Spécifications pour IRF7233TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRF7233TR
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6000pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
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