IPD65R420CFDBTMA1 - MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
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MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPD65R420CFDBTMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPD65R420CFDBTMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 340µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 83.3W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPD65R420CFDBTMA1
Feuilles de données : IPD65R420CFDBTMA1.pdf
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