K4B4G0846E-BYK0 - 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
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4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
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Spécifications pour K4B4G0846E-BYK0
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : K4B4G0846E-BYK0
Fabricant : Samsung Semiconductor
La description : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
Séries : DDR3
Densité : 4 Gb
Org. : 512M x 8
La vitesse : 1600 Mbps
Tension : 1.35 V
Temp. : 0 ~ 85 °C
Paquet : 78FBGA
État du produit : Mass Production
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour K4B4G0846E-BYK0
Feuilles de données : K4B4G0846E-BYK0.pdf
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