MAP6KE82AE3 - TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
TVS DIODE 70.1V 113V T-18
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MAP6KE82AE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MAP6KE82AE3
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : TVS DIODE 70.1V 113V T-18
Séries : Military, MIL-PRF-19500
Statut de la pièce : Active
Type : Zener
Canaux Unidirectionnels : 1
Canaux bidirectionnels : -
Tension - Entretoise inversée (type) : 70.1V
Tension - Panne (Min) : 77.9V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp : 113V
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) : 5.3A
Puissance - Peak Pulse : 600W
Protection de ligne électrique : No
Applications : General Purpose
Capacité à fréquence : -
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : T-18, Axial
Package d'appareils du fournisseur : T-18
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : MAP6KE82AE3.pdf

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