HUFA75309D3 - MOSFET N-CH 55V 19A IPAK

Référence fabricant

HUFA75309D3

Numéro de pièce interne

AX-HUFA75309D3

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 55V 19A IPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour HUFA75309D3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : HUFA75309D3

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 55V 19A IPAK

Séries : UltraFET™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 19A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 20V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 55W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I-PAK

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : HUF , HUFA7

Documents pour HUFA75309D3

Feuilles de données : HUFA75309D3.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3000PF 50V BP 1210.