SI5519DU-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
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MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI5519DU-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI5519DU-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 10V
Puissance - Max : 10.4W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® ChipFet Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI5519DU-T1-GE3
Feuilles de données : SI5519DU-T1-GE3.pdf
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