MT47H64M8SH-25E AIT:H TR - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
100685 Pieces
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Spécifications pour MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Fabricant :
Micron Technology Inc.
La description :
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Last Time Buy
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - DDR2
Taille mémoire :
512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge :
400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
400ps
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
60-FBGA (10x18)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Liens connexes :
MT47H64M , MT47H64M8SH-
Documents pour MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Feuilles de données :
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR.pdf
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CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 7500PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK. |
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Vishay Beyschlag |
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CAP CER 3300PF 100V BX 0805. |
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CAP CER 7600PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402. |
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