IS42S86400F-6TL-TR - IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IS42S86400F-6TL-TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IS42S86400F-6TL-TR
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM
Taille mémoire : 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 5.4ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 54-TSOP II
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IS42S86400F-6TL-TR
Feuilles de données : IS42S86400F-6TL-TR.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Murata Electronics North America | CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005. |