2SK2845(TE16L1,Q) - MOSFET N-CH 900V 1A DP

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MOSFET N-CH 900V 1A DP
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 2SK2845(TE16L1,Q)

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 2SK2845(TE16L1,Q)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 900V 1A DP
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 40W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DP
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 2SK28 , 2SK2845(

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