IXTA1R6N100D2HV - MOSFET N-CH
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXTA1R6N100D2HV
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTA1R6N100D2HV
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.6A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 10V
Caractéristique FET : Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) : 100W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-263HV
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IXTA1R6N100D2HV
Feuilles de données : IXTA1R6N100D2HV.pdf
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